MJC ELEKTROTECHNIK GMBH HANDEL MIT ELEKTRONISCHEN BAUTEILEN
Deutschland
Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse
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Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse
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SiC-MOSFET-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, flaches (niedriginduktives) 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower
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