- in vitro gene mutation study in bacteria: Ames Test OECD 471 - in vitro gene mutation study in mammalian cells: Mouse Lymphoma Assay (MLTK Assay) OECD 490 - in vitro gene mutation study in mammalian cells: HPRT test / OECD 476 - Micronucleus Assay in vitro (Human Lymphocytes or V79 cells) / OECD 487 - Chromosomal aberration Assay in vitro (Human Lymphocytes or V79 cells) / OECD 473 - Hen’s Egg Test – Induction of Micronuclei (HET-MN) - COMET Assay in different cell types - Cell Transformation Assay in Bhas Cells / OECD 231 (draft) - Mammalian Erythrocyte Micronucleus Test / OECD 474 / ISO 10993-3 - Combined Mammalian Erythrocyte Micronucleus Test with concurrent Alkaline Comet Assay in vivo OECD 474 & 489 - In vivo Mammalian Alkaline Comet Assay / OECD 489 - Unscheduled DNA synthesis (UDS) Test with Mammalian Liver Cells in vivo / OECD 486 - Mammalian Spermatogonial Chromosomal Aberration test / OECD 483 - Mammalian Bone Marrow Chromosomal Aberration test / OECD 475
Deutschland
Anlage zum Schweißen mit dem Laser unter Vakuum für feine und feinste Nähte bei minimalem Energieeintrag in das Werkstück. Optional bieten wir eine bauteilspezifische Prozessentwicklung an. LaVa ist die Abkürzung für Laserschweißen unter Vakuum [LaVa = Laser in Vacuum] und kombiniert die Stärken des Lasers mit einer Vakuumumgebung mit einstellbarem Druck. Ein Betrieb bei reduziertem Druck um 1 mbar verbessert den Tiefschweißeffekt und verdoppelt die Einschweißtiefe gegenüber Atmoshpäre bei gegebener Leistung. Ein weiterer Vorteil ist die signifikante Reduzierung der Spritzer auf nahezu Null. Cu, Ti und viele weitere Materialien können mit LaVa auf einem EB-Leistungsniveau geschweißt werden. Dies gilt auch für magnetische und isolierende Materialien. Auch das Bohren im gepulsten Betrieb profitiert von den genannten Vorteilen. Die LaVa – Anlage ist schlüsselfertig inkl.
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Anlage zum Schweißen mit dem Mikroelektronenstrahl für feine und feinste Nähte bei minimalem Energieeintrag in das Werkstück. Optional bieten wir eine bauteilspezifische Prozessentwicklung an. FOCUS Mikroelektronenstrahlschweißgeräte (MEBW-60) sind ausgelegt für höchste Präzision beim Fügen und für Oberflächenmodifikationen bis in den μm-Bereich - ein ideales Werkzeug für die Sensortechnologie, die Luft- und Raumfahrtindustrie und das Mikrobohren. Die MEBW-60 Maschinen haben eine Leistung von bis zu 2 Kilowatt (60 kV) und einen Strahlfokus von kleiner 50 Mikrometern. Die Strahlnavigation wird mit einem 25 μm Rasterelektronenmikroskopie-Modus realisiert. Der Strahlstrom kann in Schritten von 15 μA gesteuert werden, um eine ultimative Leistungsregelung für anspruchsvolle Verbindungsprozesse zu gewährleisten.
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Anlage zum Schweißen mit dem Mikroelektronenstrahl für feine und feinste Nähte bei minimalem Energieeintrag in das Werkstück. Optional bieten wir eine bauteilspezifische Prozessentwicklung an. FOCUS Mikroelektronenstrahlschweißgeräte (MEBW-60) sind ausgelegt für höchste Präzision beim Fügen und für Oberflächenmodifikationen bis in den μm-Bereich - ein ideales Werkzeug für die Sensortechnologie, die Luft- und Raumfahrtindustrie und das Mikrobohren. Die MEBW-60 Maschinen haben eine Leistung von bis zu 2 Kilowatt (60 kV) und einen Strahlfokus von kleiner 50 Mikrometern. Die Strahlnavigation wird mit einem 25 μm Rasterelektronenmikroskopie-Modus realisiert. Der Strahlstrom kann in Schritten von 15 μA gesteuert werden, um eine ultimative Leistungsregelung für anspruchsvolle Verbindungsprozesse zu gewährleisten.
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Anlage zum Schweißen mit dem Mikroelektronenstrahl für feine und feinste Nähte bei minimalem Energieeintrag in das Werkstück. Optional bieten wir eine bauteilspezifische Prozessentwicklung an. FOCUS Mikroelektronenstrahlschweißgeräte (MEBW-60) sind ausgelegt für höchste Präzision beim Fügen und für Oberflächenmodifikationen bis in den μm-Bereich - ein ideales Werkzeug für die Sensortechnologie, die Luft- und Raumfahrtindustrie und das Mikrobohren. Die MEBW-60 Maschinen haben eine Leistung von bis zu 2 Kilowatt (60 kV) und einen Strahlfokus von kleiner 50 Mikrometern. Die Strahlnavigation wird mit einem 25 μm Rasterelektronenmikroskopie-Modus realisiert. Der Strahlstrom kann in Schritten von 15 μA gesteuert werden, um eine ultimative Leistungsregelung für anspruchsvolle Verbindungsprozesse zu gewährleisten.
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